Prodotti fotovoltaici a elevate prestazioni progettati per garantire performance e rendimenti senza paragoni
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Grazie all’innovativa tecnologia 3SUN CORE-H®, riusciamo a sfruttare al massimo la luce solare, in ogni ambito e situazione
I nostri moduli nascono dall’esperienza decennale nello sviluppo della tecnologia HJT e assicurano massima affidabilità̀ e resistenza
Realizziamo i nostri prodotti in Italia secondo i più rigidi criteri di qualità e attraverso processi completamente automatizzati
Alta efficienza e potenza, ottima durabilità e stabilità con coefficienti di temperatura ottimali e un pacchetto di garanzie senza eguali
Grazie alla conversione efficace della luce che raggiunge il retro del modulo si migliora sensibilmente la resa energetica di un impianto
Una potenza nominale che permette di installare meno moduli a parità di dimensione dell’impianto fotovoltaico
In formato 2,172 x 1,303 m: alta potenza per migliorare la produttività di impianti fotovoltaici su tetto e a terra
Categoria A moduli prodotti in Europa con efficienza superiore al 21,5%
2% massimo di degradazione della potenza nominale dopo un anno. 0,4% per gli anni successivi. 0% degradazione fotoindotta
Una struttura robusta e un processo a basse temperature che previene stress termo-meccanici e la formazione di micro-cricche
Alto livello di conversione della luce che raggiunge il retro del modulo per una migliore resa energetica dell’impianto
Modulo con formato ridotto per una maggiore flessibilità applicativa di installazione
Celle solari 3SUN CORE-H®
La tecnologia 3SUN CORE-H® permette di sfruttare al meglio la luce solare su entrambe le superfici del modulo e oltrepassare i limiti delle principali tecnologie PERC, PERT e TOPCon presenti sul mercato
Innovativo strato antiriflesso, trasparente e conduttivo, ottimizzato per trasmettere al meglio la luce solare e convogliare le cariche elettriche generate verso le griglie di conduzione
Strati di silicio amorfo P e N, che massimizzano l’energia generata e la conduzione delle cariche elettriche, prevenendo dispersioni ed evitando la loro ricombinazione alle interfacce
Wafer di silicio ultrasottile di tipo N, che consente elevate performance, stabilità e basso impatto ambientale
Tecnologia multi bus bar a griglia ultrafine che serve a ridurre al minimo le perdite resistive potenziando la raccolta delle cariche elettriche
Microlayer che migliorano la tensione in uscita. Utilizzando il meccanismo del tunneling quantistico, danno origine a una giunzione perfetta con il silicio cristallino, da cui l’espressione “etero-giunzione”
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